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							其他化合物半導體
							InAs
							
      可用于制作波長2——12μm的紅外發光器件及中紅外量子級聯激光器。這些紅外器件在氣體檢測、低損耗光纖通信領域有良好的應用前景。
      		
														
													
      
												
      
							其他化合物半導體
							InP
							
      具有電子極限漂移速度高、耐輻射性好、導熱好的優點。適用于制造高頻、高速、大功率微波器件和集成電路。
      		
														
													
      
												
						
					
      
				
      
				
      
			
      
		
      
		
      
	
      

      


      
	
      
		
      
			
			
      
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