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碳化硅（SiC）是性能優異的第三代寬禁帶半導體材料，具有禁帶寬度大、高熱導率、高擊穿電場、本征溫度高、抗輻射、化學穩定性好、電子飽和漂移速度高等優點。
MORE+碳化硅（SiC）是性能優異的半導體材料，具有禁帶寬度大、高熱導率、高擊穿電場、本征溫度高、抗輻射、電子飽和漂移速度高等優點。
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北京世紀金光半導體有限公司（以下簡稱“世紀金光”）是一家致力于第三代寬禁帶半導體功能材料和功率器件研發與生產的國家級高新技術企業。公司成立于2010年12月24日，注冊資金26,613萬元......
世紀金光第二代1200VSiCMOSFET器件【CGE2M120080】北京世紀金光半導體（以下簡稱“世紀金光”）是一家專注于碳化硅功能材料
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