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      應用碳化硅解決方案,可實現充電樁高溫環境下安全、穩定運行

      碳化硅功率器件可應用于充電模塊的PFC與次級整流部分,由于其具有高速開關和低導通電阻的特性,即使在高溫條件下也能顯示優異的電氣特性,可大幅降低開關損耗,實現周邊元器件的小型化。

      碳化硅技術可顯著提高電動汽車續航里程

      碳化硅功率器件可實現新能源汽車OBC、DC/DC轉換器及電機驅動系統小型化、輕量化、高效化,提高系統整體可靠性,可使電動汽車在續航里程提升6%左右。

      碳化硅技術的應用,可大幅提升光伏逆變器的電能轉換效率

      光電轉換效率作為并網光伏逆變器最重要的性能指標,傳統硅基器件已無法實現更高的效率轉換。而碳化硅因其具有更低開關損耗的特性,在并網光伏逆變器中應用可大大減少其電能損耗,同時還可減積減重,降低整機成本。

      應用領域

      APPLICATION
      • 高性能電源

        碳化硅功率器件可應用于高性能電源系統的PFC部分,系統總效率大大提升。

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      • 新能源汽車

        碳化硅功率器件的應用可使系統減積減重、提高整體可靠性,并顯著提升汽車續航里程。

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      • 光伏

        在光伏逆變器中應用碳化硅技術,可顯著提升光電轉換效率。

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      • 智慧電網

        未來高電壓、大容量、低損耗的柔性輸變電對萬伏級以上的碳化硅功率器件具有重大需求。

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      • 充電樁

        緊湊、高效的碳化硅解決方案,可實現充電樁高溫環境下安全、穩定運行。

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      • 特種領域

        碳化硅功率器件在特種領域電源的應用,可大幅提升器件在特定環境下抗干擾、抗輻射以及散熱能力

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      北京世紀金光半導體有限公司(以下簡稱“世紀金光”)是一家致力于第三代寬禁帶半導體功能材料和功率器件研發與生產的國家級高新技術企業。公司成立于2010年12月24日,注冊資金26,613萬元......

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      新品 | 世紀金光推出第二代1200V SiC MOSFET器件

      世紀金光第二代1200VSiCMOSFET器件【CGE2M120080】北京世紀金光半導體(以下簡稱“世紀金光”)是一家專注于碳化硅功能材料

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